表膜隔膜的制作方法-凯发k8娱乐

本发明涉及一种表膜隔膜。本发明具有与euv光刻设备和euv光刻工具关联的特定但非排他性用途。本发明也涉及表膜组件和包括这种组件的光刻设备。

背景技术：

1、光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(ic)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。使用极紫外(euv)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

3、可以使用图案形成装置(例如，掩模或掩模版)将图案赋予光刻设备中的辐射束。通过图案形成装置或反射离开图案形成装置而提供辐射以在衬底上形成图像。图案形成装置的表面上的污染物会导致衬底上的制造缺陷。可以提供隔膜组件，也称为表膜，以保护图案形成装置免受空气中的粒子和其它形式的污染物。

4、表膜也可以用于保护除图案形成装置之外的光学部件。表膜也可以用于在彼此密封的光刻设备的区之间为光刻辐射提供通道。表膜也可以用作滤光器，诸如光谱纯度滤光器，或者用作光刻设备的动态气锁的一部分。

5、表膜在光刻术中的使用是众所周知和公认的。光刻设备中的表膜是远离图案形成装置并且在所使用的光刻设备的焦平面之外的隔膜(也称为表膜隔膜)。由于表膜在光刻设备的焦平面之外，因此落在表膜上的污染物粒子在光刻设备中失焦。因此，污染物粒子的图像不会投影到衬底上。如果隔膜不存在，那么落在图案形成装置上的污染物粒子将被投影到衬底上，并将在所投影的图案中引入缺陷。

6、掩模组件可以包括保护图案形成装置(例如,掩模)免受粒子污染物的表膜。表膜可以由表膜框架支撑，从而形成表膜组件或隔膜组件。表膜可以附接到框架，例如，通过将表膜边界区胶合或以其它方式附接到框架。框架可以永久地或可释放地附接到图案形成装置。框架也可以被称为边界。

7、期望提供一种表膜隔膜和/或表膜组件，其解决了与现有技术相关联的问题。

技术实现思路

1、根据本发明的第一方面，提供了一种用于光刻设备的表膜隔膜，其中，所述表膜隔膜包括金属硅化物和增强网络。

2、有利地，所述增强网络增强了表膜，而同时仅引起所述表膜的透射率的少量降低。有利地，因为表膜的外表面是金属硅化物，则当被曝光于诸如euv辐射之类的条件时，所述表膜的表面的行为不受所述增强网络的影响。

3、所述增强网络可以位于金属硅化物层之间。

4、有利地，因为所述表膜的外表面是金属硅化物，则当被曝光于诸如euv辐射之类的条件时，所述表膜的表面的行为不受所述增强网络的影响。

5、所述增强网络可以是不规则的。

6、所述增强网络可以包括最大尺寸为高达20微米的窗口。

7、增强网络可以包括平均尺寸为至少5微米的窗口。

8、所述增强网络除了窗口之外可以具有高达所述表膜的10％的面积。

9、所述增强网络可以由纳米管形成。

10、所述纳米管可以是碳纳米管。

11、所述纳米管可以被涂覆。

12、可以在所述增强网络与所述金属硅化物层中的至少一个金属硅化物层之间设置有额外的层。

13、至少一个额外的层可以是金属层。

14、所述金属硅化物可以是氮化金属硅化物。

15、根据本发明的第二方面，提供了一种表膜组件，包括本发明的第一方面的所述表膜隔膜、和框架，所述表膜隔膜由所述框架支撑。

16、根据本发明的第三方面，提供了一种表膜组件，包括由框架支撑的表膜隔膜，其中，所述表膜隔膜没有完全延伸到所述框架的外边缘。

17、有利地，当成像系统(从所述表膜的与设置所述框架处的一侧相反的一侧)观察所述表膜组件时，这种布置可以提供改进的对比度。

18、包括多个层的边界叠层可以被设置在所述框架与所述表膜隔膜之间。所述边界叠层的至少一部分可以没有完全延伸到所述框架的外边缘。

19、有利地，当成像系统(从所述表膜的与设置所述框架处的一侧相反的一侧)观察所述表膜组件时，这种布置可以提供进一步改进的对比度。

20、所述表膜隔膜的外边缘可以设置有用作对准标记的形状。所述边界叠层的至少一部分的外边缘可以设置有用作对准标记的形状。

21、所述表膜隔膜和边界叠层可以是大致矩形的。所述形状可以被设置在所述表膜隔膜的至少一个拐角部处并且可选地设置在所述边界叠层的至少一部分处。

22、所述形状可以被设置在所述表膜隔膜的每个拐角部处，并且可选地设置在所述边界叠层的至少一部分处。

23、所述形状可以包括从所述拐角部延伸的两个突起。

24、所述两个突起可以彼此垂直地延伸。

25、所述边界叠层的至少一个层可以完全延伸到所述框架的所述外边缘。

26、边界叠层可以包括位于所述表膜隔膜下方且位于所述边界叠层的硅基层上方的氧化物层。

27、所述氧化物层可以具有被选择为有助于在所述表膜隔膜和表膜框架的组合与所述表膜隔膜和图案形成装置的组合之间产生期望的对比度的厚度。

28、氧化物层可以具有被选择为有助于在所述表膜隔膜和所述边界叠层框架的组合与所述框架的一外部部分之间产生期望的对比度的厚度，在所述外部部分处不存在所述边界叠层的至少一部分。

29、根据本发明的第四方面，提供了一种表膜组件，包括所述第一方面的表膜隔膜，并且还包括支撑所述表膜隔膜的框架，所述框架包括基部和边界叠层，其中所述边界叠层包括位于所述表膜隔膜下方且位于所述边界叠层的硅基层上方的氧化物层。

30、所述氧化物层的厚度可以具有被选择为有助于在所述表膜隔膜和表膜框架的组合与所述表膜隔膜和图案形成装置的组合之间产生期望的对比度的厚度。

31、所述期望的对比度可以是0.1或更大。

32、根据本发明的第五方面，提供了一种掩模组件，包括前述方面的表膜，并且还包括光刻掩模，其中所述边界叠层和表膜隔膜具有与所述表膜隔膜和所述光刻掩模的组合反射率不同的组合反射率。

33、所述边界叠层和表膜隔膜的组合反射率与所述表膜隔膜和光刻掩模的组合反射率相比可以提供0.1或更大的对比度。

34、根据本发明的第六方面，提供了一种制造表膜组件的方法，所述方法包括：设置基部；在所述基部上设置多个牺牲层；在最上面的牺牲层上设置第一金属硅化物层；在所述第一金属硅化物层上设置增强网络；以及在所述增强网络上设置第二金属硅化物层。

35、在设置所述第二金属硅化物层之前，可以在所述增强网络的顶部上设置金属层。

36、所述增强网络可以由碳纳米管形成。

37、根据本发明的第七方面，提供了一种光刻设备，包括前述方面的表膜隔膜、表膜组件或掩模组件。

38、关于任何方面而描述的特征可以与关于本发明的任何其它方面而描述的特征相组合。

39、现在将参考euv光刻设备来描述本发明。然而，将理解，本发明不限于euv光刻术，并且可以适用于其它类型的光刻术。